MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 2.5 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
124-5405
Nº ref. fabric.:
NTLJD4116NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.78V

Disipación de potencia máxima Pd

2.3W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2 mm

Longitud

2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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