MOSFET onsemi, N-Canal, VDSS 30 V, ID 2.9 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 184-4217
- Nº ref. fabric.:
- FDMA2002NZ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 184-4217
- Nº ref. fabric.:
- FDMA2002NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 268mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 2mm | |
| Longitud | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 268mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 2mm | ||
Longitud 2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
This device is designed specifically as a single package solution for dual switching requirements in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent N-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2x2 offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
2.9 A, 30 V
RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V
Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET 2x2 mm
HBM ESD protection level=1.8kV (Note 3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications
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