MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDMA2002NZ, VDSS 30 V, ID 2.9 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
184-5019
Nº ref. fabric.:
FDMA2002NZ
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

268mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión directa Vf

0.9V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2 mm

Longitud

2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
This device is designed specifically as a single package solution for dual switching requirements in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent N-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET 2x2 offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

2.9 A, 30 V

RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V

RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V

Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET 2x2 mm

HBM ESD protection level=1.8kV (Note 3)

Free from halogenated compounds and antimony oxides

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications

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