MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 16 A, WDFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
166-2900
Nº ref. fabric.:
FDMC7208S
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.9W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

3 mm

Altura

0.75mm

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación

Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.

SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky

Aplicaciones en convertidor dc-dc con rectificación síncrona, controladores de motor, punto de redes de interruptor de carga de lado bajo

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados