MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 4.6 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
121-6306
Nº ref. fabric.:
NTLJD3119CTBG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

μCool

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.69V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

2 mm

Altura

0.75mm

Longitud

2mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor


El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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