Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4.6 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 780-0655
Nº ref. fabric.:: NTLJD3119CTBG
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4.6 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 780-0655
Nº ref. fabric.:: NTLJD3119CTBG
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	WDFN
	Serie	μCool
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	200mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.69V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2.3W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±8 V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2mm
	Altura	0.75mm
	Anchura	2 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado WDFN
	Serie μCool
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.69V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2.3W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±8 V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2mm
	Altura 0.75mm
	Anchura 2 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4.6 A, WDFN, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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