- Código RS:
- 166-1727
- Nº ref. fabric.:
- FDPC8013S
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,92 €
(exc. IVA)
1,11 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 0,92 € | 2.760,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-1727
- Nº ref. fabric.:
- FDPC8013S
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 26 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | Power 33 |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 9,2 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
Disipación de Potencia Máxima | 2 W |
Configuración de transistor | Serie |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Ancho | 3.4mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 3.4mm |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 13 nC a 10 V |
Material del transistor | Si |
Altura | 0.75mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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