Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 163-1117
Nº ref. fabric.:: NTJD4152PT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

234,00 €

(exc. IVA)

282,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,078 €	234,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 163-1117
Nº ref. fabric.:: NTJD4152PT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	880mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.2nC
	Disipación de potencia máxima Pd	350mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±12 V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.35 mm
	Longitud	2.2mm
	Altura	1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 880mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.2nC
	Disipación de potencia máxima Pd 350mW
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.35 mm
	Longitud 2.2mm
	Altura 1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: CN

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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