MOSFET onsemi FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 761-9847
Nº ref. fabric.:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

5980 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,367 €

(exc. IVA)

0,444 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,367 €	3,67 €
100 - 990	0,23 €	2,30 €
1000 - 2990	0,166 €	1,66 €
3000 +	0,128 €	1,28 €

*precio indicativo

Código RS:: 761-9847
Nº ref. fabric.:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	600 mA, 700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	442 MΩ, 700 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.3V
Disipación de Potencia Máxima	300 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Longitud	2mm
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm