MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
761-9847
Nº ref. fabric.:
FDG6332C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

700mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Tensión directa Vf

-0.77V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.25 mm

Longitud

2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble para automoción, Fairchild Semiconductor


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Transistores MOSFET, ON Semi


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