Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 761-9847
Nº ref. fabric.:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

3,91 €

(exc. IVA)

4,73 €

(inc.IVA)

Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 90	0,391 €	3,91 €
100 - 240	0,337 €	3,37 €
250 - 490	0,292 €	2,92 €
500 - 990	0,257 €	2,57 €
1000 +	0,234 €	2,34 €

*precio indicativo

Código RS:: 761-9847
Nº ref. fabric.:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	700mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie, Montaje superficial
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	700mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	0.3W
	Tensión directa Vf	-0.77V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.25mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2mm
	Altura	1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 700mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie, Montaje superficial
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 0.3W
	Tensión directa Vf -0.77V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.25mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2mm
	Altura 1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N doble para automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven retos complejos en el mercado de automoción con un control exhaustivo de estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

Opciones de precios por volumen

MOSFET de canal N doble para automoción, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

Enlaces relacionados