Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 761-9847
Nº ref. fabric.:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

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500 - 990	0,257 €	2,57 €	34%
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Código RS:: 761-9847
Nº ref. fabric.:: FDG6332C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	20 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	700 mA
	Encapsulado	US
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	6
	Número de elementos por chip	2
	Configuración de transistor	Aislado
	Estándar de automoción	No
	Tensión directa (Vf)	-0.77 V
	Altura	1 mm
	Longitud	2 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	700 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-12 V, +12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	0.3 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tipo de montaje	Superficie
	Certificaciones y estándares	No
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs	1.4 nC
	Anchura	1.25 mm

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 20 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 700 mA
	Encapsulado US
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 6
	Número de elementos por chip 2
	Configuración de transistor Aislado
	Estándar de automoción No
	Tensión directa (Vf) -0.77 V
	Altura 1 mm
	Longitud 2 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 700 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -12 V, +12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 0.3 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tipo de montaje Superficie
	Certificaciones y estándares No
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 1.4 nC
	Anchura 1.25 mm

Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor provides solutions that solve complex challenges in the automotive market with a thorough command of quality, safety, and reliability standards.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDG6332C, VDSS 20 V, ID 700 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config.

Opciones de precios por volumen

Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

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