MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

Código RS:: 166-2595
Nº ref. fabric.:: FDS4897C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:: 166-2595
Nº ref. fabric.:: FDS4897C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	40 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	6.2 A
	Encapsulado	SOIC
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	8
	Número de elementos por chip	2
	Configuración de transistor	Aislado
	Estándar de automoción	No
	Tensión directa (Vf)	700 mV
	Altura	1.5 mm
	Longitud	5 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	63 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20 V, +20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	2 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tipo de montaje	Superficie
	Serie	PowerTrench
	Certificaciones y estándares	RoHS Compliant
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs	20 nC
	Anchura	4 mm

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 40 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 6.2 A
	Encapsulado SOIC
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 8
	Número de elementos por chip 2
	Configuración de transistor Aislado
	Estándar de automoción No
	Tensión directa (Vf) 700 mV
	Altura 1.5 mm
	Longitud 5 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 63 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 2 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tipo de montaje Superficie
	Serie PowerTrench
	Certificaciones y estándares RoHS Compliant
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 20 nC
	Anchura 4 mm

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

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