MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 671-0539
Nº ref. fabric.:: FDS4897C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 671-0539
Nº ref. fabric.:: FDS4897C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	63mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Tensión directa Vf	700mV
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS Compliant
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Anchura	4mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SOIC
	Serie PowerTrench
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Tensión directa Vf 700mV
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS Compliant
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Anchura 4mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

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