MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDS4897C, VDSS 40 V, ID 6.2 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
671-0539
Nº ref. fabric.:
FDS4897C
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

0.7V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Anchura

4mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de potencia optimizados que ofrecen un aumento de la eficiencia del sistema y la densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña (Qg), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.

Los últimos MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de puerta apantallada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, la FOM (Figure of Merit) de estos dispositivos es significativamente más baja que la de la generación anterior.

El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito inestable o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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