MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 166-2654
Nº ref. fabric.:: NDS9948
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 166-2654
Nº ref. fabric.:: NDS9948
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	500mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	9nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión directa Vf -0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Aislado
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.

Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

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