MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 166-3247
Nº ref. fabric.:: FDS4559
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.457,50 €

(exc. IVA)

1.762,50 €

(inc.IVA)

Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2500 +	0,583 €	1.457,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-3247
Nº ref. fabric.:: FDS4559
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	55mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.

Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas