MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS3992, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 806-3649
Nº ref. fabric.:: FDS3992
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS3992, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 806-3649
Nº ref. fabric.:: FDS3992
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	PowerTrench
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	123mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	11nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	4.9mm
	Altura	1.575mm
	Anchura	3.9 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie PowerTrench
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 123mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Aislado
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 4.9mm
	Altura 1.575mm
	Anchura 3.9 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS3992, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

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