MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 80 V, ID 4.7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.912,50 €

(exc. IVA)

2.315,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2500 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de diciembre de 2025
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,765 €1.912,50 €

*precio indicativo

Código RS:
166-2865
Nº ref. fabric.:
FDS3890
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.74V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.9mm

Altura

1.575mm

Anchura

3.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados