MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-2652
- Nº ref. fabric.:
- FDS89141
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.740,00 €
(exc. IVA)
3.315,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,096 € | 2.740,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-2652
- Nº ref. fabric.:
- FDS89141
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 107mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 107mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi VDSS 100 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 100 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 80 V SOIC 2, config. Aislado