MOSFET onsemi FDS9945, VDSS 60 V, ID 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 166-3363
Nº ref. fabric.:: FDS9945
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDS9945, VDSS 60 V, ID 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

2325 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,233 €

(exc. IVA)

0,282 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,233 €	582,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-3363
Nº ref. fabric.:: FDS9945
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8 nC a 5 V
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C