MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
166-3245
Nº ref. fabric.:
NDS9945
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.9nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.57mm

Anchura

3.9 mm

Longitud

4.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

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En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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