MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
163-1128
Nº ref. fabric.:
NTMD4N03R2G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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