MOSFET onsemi FDS8984, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 166-2448
Nº ref. fabric.:: FDS8984
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDS8984, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,238 €

(exc. IVA)

0,288 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,238 €	595,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-2448
Nº ref. fabric.:: FDS8984
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	23 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,6 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,2 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C