MOSFET onsemi NTMD4N03R2G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 780-0674
Nº ref. fabric.:: NTMD4N03R2G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTMD4N03R2G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

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Código RS:: 780-0674
Nº ref. fabric.:: NTMD4N03R2G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	80 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8 nC a 10 V dc
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	4mm
Longitud	5mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C