Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTMD4N03R2G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 780-0674
Nº ref. fabric.:: NTMD4N03R2G
Fabricante:: onsemi

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTMD4N03R2G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 780-0674
Nº ref. fabric.:: NTMD4N03R2G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	80mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8nC
	Tensión directa Vf	0.82V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4 mm
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC
	Tensión directa Vf 0.82V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4 mm
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTMD4N03R2G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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