MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NDS9945, VDSS 60 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
903-4374
Nº ref. fabric.:
NDS9945
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.57mm

Anchura

3.9 mm

Longitud

4.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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