- Código RS:
- 759-9699
- Nº ref. fabric.:
- FDS89141
- Fabricante:
- onsemi
2944 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
2,69 €
(exc. IVA)
3,25 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
2 - 8 | 2,69 € | 5,38 € |
10 - 98 | 2,28 € | 4,56 € |
100 - 248 | 1,73 € | 3,46 € |
250 - 498 | 1,675 € | 3,35 € |
500 + | 1,46 € | 2,92 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 759-9699
- Nº ref. fabric.:
- FDS89141
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,5 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Encapsulado | SOIC |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 107 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 31 W |
Configuración de transistor | Aislado |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Ancho | 5mm |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Longitud | 4mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 5,1 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.5mm |
- Código RS:
- 759-9699
- Nº ref. fabric.:
- FDS89141
- Fabricante:
- onsemi
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