MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDS3890, VDSS 80 V, ID 4.7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 806-3630
- Nº ref. fabric.:
- FDS3890
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,482 € | 12,41 € |
| 10 - 95 | 2,002 € | 10,01 € |
| 100 - 245 | 1,632 € | 8,16 € |
| 250 - 495 | 1,584 € | 7,92 € |
| 500 + | 1,346 € | 6,73 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 806-3630
- Nº ref. fabric.:
- FDS3890
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.74V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.575mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.74V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.575mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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