Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N, P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	600 mA, 700 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
	Tipo de Encapsulado	SOT-363
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	6
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	442 MΩ, 700 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima	0.3V
	Disipación de Potencia Máxima	300 mW
	Configuración de transistor	Aislado
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
	Material del transistor	Si
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Longitud	2mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V
	Número de Elementos por Chip	2
	Ancho	1.25mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	1mm

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N, P
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 600 mA, 700 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V
	Tipo de Encapsulado SOT-363
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 6
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 442 MΩ, 700 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima 0.3V
	Disipación de Potencia Máxima 300 mW
	Configuración de transistor Aislado
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -12 V, +12 V
	Material del transistor Si
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Longitud 2mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V
	Número de Elementos por Chip 2
	Ancho 1.25mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 1mm

MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

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