MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N-Canal FDG1024NZ, VDSS 20 V, ID 1.2 A, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 145-5680
- Nº ref. fabric.:
- FDG1024NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 145-5680
- Nº ref. fabric.:
- FDG1024NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 259mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2mm | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado US | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 259mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2mm | ||
Anchura 1.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® de ON Semis son conmutadores de potencia optimizados que ofrecen una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña, una recuperación inversa pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.
El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.
Transistores MOSFET, ON Semi
><
Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi Tipo N-Canal FDG1024NZ ID 1.2 A Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 25 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 30 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 25 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi Tipo N Tipo P-Canal FDG6332C ID 700 mA Mejora de 6 pines config.
- MOSFET onsemi VDSS 20 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 20 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi Tipo N-Canal FDS6930B ID 5.5 A Mejora de 8 pines config. Aislado