MOSFET onsemi, N-Canal FDG1024NZ, VDSS 20 V, ID 1.2 A, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 145-5680
- Nº ref. fabric.:
- FDG1024NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 145-5680
- Nº ref. fabric.:
- FDG1024NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 20 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 1.2 A | |
| Encapsulado | US | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 6 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 700 mV | |
| Altura | 1 mm | |
| Longitud | 2 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 259 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8 V, +8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 360 mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | PowerTrench | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 1.8 nC | |
| Anchura | 1.25 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 20 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 1.2 A | ||
Encapsulado US | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 6 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 700 mV | ||
Altura 1 mm | ||
Longitud 2 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 259 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8 V, +8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 360 mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie PowerTrench | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 1.8 nC | ||
Anchura 1.25 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi VDSS 20 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 25 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 30 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 25 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 20 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 20 V US 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 100 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado