MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N-Canal FDG1024NZ, VDSS 20 V, ID 1.2 A, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
145-5680
Nº ref. fabric.:
FDG1024NZ
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

259mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Tensión directa Vf

0.7V

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Longitud

2mm

Anchura

1.25 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® de ON Semis son conmutadores de potencia optimizados que ofrecen una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña, una recuperación inversa pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.

El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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