MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo N-Canal FDS6930B, VDSS 30 V, ID 5.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
671-0655
Nº ref. fabric.:
FDS6930B
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

62mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® de ON Semis son conmutadores de potencia optimizados que ofrecen una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña, una recuperación inversa pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.

El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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