MOSFET onsemi FDS6930B, VDSS 30 V, ID 5,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
166-1789
Nº ref. fabric.:
FDS6930B
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

38 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2 W

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,7 nC a 5 V

Ancho

4mm

Longitud

5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados