MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4564DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-7276
Nº ref. fabric.:
SI4564DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, -16V, +16V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.55mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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