MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
180-7294
Nº ref. fabric.:
SI4559ADY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.58Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Longitud

5mm

Altura

1.75mm

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una tensión de fuente de drenaje de 60V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 5,3A A y 3,9A A. Tiene una potencia nominal máxima de 3,4W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad. Es aplicable en inversores CCFL.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• UIS probado

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