MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI9945BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-8995
Número de artículo Distrelec:
304-02-278
Nº ref. fabric.:
SI9945BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

72mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Distrelec Product Id

30402278

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