MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI4900DY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
180-8002
Nº ref. fabric.:
SI4900DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.058Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.35mm

Longitud

4.8mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N doble TrenchFET serie SI4900DY de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 60 V. Se utiliza en TV LCD e inversor CCFL.

Sin plomo

Libre de halógenos

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