MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 710-4764
- Nº ref. fabric.:
- SI7850DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 2,304 € | 11,52 € |
| 125 - 245 | 2,006 € | 10,03 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 710-4764
- Nº ref. fabric.:
- SI7850DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | Si7850DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie Si7850DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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