MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI7898DP-T1-E3, VDSS 150 V, ID 4.8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Código RS:: 180-7862
Nº ref. fabric.:: SI7898DP-T1-E3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI7898DP-T1-E3, VDSS 150 V, ID 4.8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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*precio indicativo

Código RS:: 180-7862
Nº ref. fabric.:: SI7898DP-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.085Ω
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	21nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Longitud	6.25mm
	Anchura	5.26 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.085Ω
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Longitud 6.25mm
	Anchura 5.26 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 150V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 85mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 5W mW y una corriente de drenaje continua de 4,8A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07mm mm

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• PWM optimizado

MOSFET de potencia TrenchFET de • V para conmutación rápida

Aplicaciones

• Interruptores del lado primario de la fuente de alimentación CC/CC

• variadores de motor industriales

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado