MOSFET Vishay SI7898DP-T1-E3

El MOSFET POWERPAK-SO-8 de canal N de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 150V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 85mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 5W mW y una corriente de drenaje continua de 4,8A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Componente sin plomo (Pb)
• Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07mm mm
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• PWM optimizado
MOSFET de potencia TrenchFET de • V para conmutación rápida

• Interruptores del lado primario de la fuente de alimentación CC/CC
• variadores de motor industriales

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado