MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7465DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 3.2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 256-7389
- Nº ref. fabric.:
- SI7465DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
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- 256-7389
- Nº ref. fabric.:
- SI7465DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.024Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.024Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de canal P de Vishay Semiconductor de 3,2 A (Ta) y 1,5 W (Ta) de montaje superficial tiene un encapsulado de perfil bajo.
MOSFET de potencia TrenchFET
Nuevo powerPAK de baja resistencia térmica
Encapsulado con perfil bajo de 1,07 mm
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