Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7309DN-T1-E3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

Código RS:: 165-2765
Nº ref. fabric.:: SI7309DN-T1-E3
Fabricante:: Vishay

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Código RS:: 165-2765
Nº ref. fabric.:: SI7309DN-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	Si7309DN
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.115Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	19.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Longitud	3.05mm
	Anchura	3.05mm
	Altura	1.04mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie Si7309DN
	Encapsulado PowerPAK 1212-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 19.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Longitud 3.05mm
	Anchura 3.05mm
	Altura 1.04mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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