Vishay IGBT, Tipo P-Canal, PowerPAK SO-8, 8 pines Superficie

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Código RS:
180-7319
Número de artículo Distrelec:
303-97-242
Nº ref. fabric.:
SI7489DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

IGBT

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo P

Número de pines

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

50 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Anchura

5.15 mm

Energía nominal

61mJ

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET SO-8 de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 28A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07mm mm

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• PWM optimizado

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• accionamientos de motor de medio puente

• Convertidores reductores no síncronos de alta tensión

• Interruptores de carga

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

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