IGBT, SI7489DP-T1-E3

El MOSFET SO-8 de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 28A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07mm mm
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• PWM optimizado
• MOSFET de potencia TrenchFET

• accionamientos de motor de medio puente
• Convertidores reductores no síncronos de alta tensión
• Interruptores de carga

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21