Vishay IGBT, SI7489DP-T1-E3, Tipo P-Canal, PowerPAK SO-8, 8 pines Superficie

Código RS:: 180-7802
Nº ref. fabric.:: SI7489DP-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Vishay IGBT, SI7489DP-T1-E3, Tipo P-Canal, PowerPAK SO-8, 8 pines Superficie

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

12,06 €

(exc. IVA)

14,595 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Agotado temporalmente

2370 Envío desde el 24 de marzo de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	2,412 €	12,06 €
50 - 120	2,172 €	10,86 €
125 - 245	1,81 €	9,05 €
250 - 495	1,738 €	8,69 €
500 +	1,64 €	8,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7802
Nº ref. fabric.:: SI7489DP-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	IGBT
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Encapsulado	PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de canal	Tipo P
	Número de pines	8
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	50 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	5.15 mm
	Altura	1.12mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Longitud	6.25mm
	Estándar de automoción	No
	Energía nominal	61mJ

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto IGBT
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Encapsulado PowerPAK SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de canal Tipo P
	Número de pines 8
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 50 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 5.15 mm
	Altura 1.12mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Longitud 6.25mm
	Estándar de automoción No
	Energía nominal 61mJ

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET SO-8 de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 28A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07mm mm

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• PWM optimizado

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• accionamientos de motor de medio puente

• Convertidores reductores no síncronos de alta tensión

• Interruptores de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21