MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7464DP-T1-E3, VDSS 200 V, ID 1.8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

11,76 €

(exc. IVA)

14,23 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,352 €11,76 €
50 - 952,012 €10,06 €
100 - 2451,66 €8,30 €
250 - 9951,628 €8,14 €
1000 +1,148 €5,74 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7387
Nº ref. fabric.:
SI7464DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de conmutación rápida de 200 V (D-S) de canal N de Vishay Semiconductor de 1,8 A (Ta) 1,8 W (Ta) de montaje superficial su aplicación es un interruptor lateral principal.

Mosfets de potencia TrenchFET

Nuevo powerPAK de baja resistencia térmica

encapsulado con perfil bajo de 1,07 mm

PWM optimizado para conmutación rápida

Enlaces relacionados