Transistor MOSFET Vishay SI7501DN-T1-E3, VDSS 30 V, ID 5.4 A, PowerPAK 1212 de 8 pines, 2elementos

Marca

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

35 mΩ, 51 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1600 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, -20 V, +20 V, +25 V

Ancho

3.05mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,5 nC a 10 V, 9 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

3.05mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.04mm