MOSFET, N-Canal Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
919-0830
Nº ref. fabric.:
SI7850DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

Si7850DP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.89mm

Altura

1.04mm

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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