MOSFET Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-0830
Nº ref. fabric.:: SI7850DP-T1-E3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,834 €

(exc. IVA)

1,009 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,834 €	2.502,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-0830
Nº ref. fabric.:: SI7850DP-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	22 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	5.89mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	18 nC a 10 V
Longitud	4.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C