MOSFET, N-Canal Vishay SI4896DY-T1-E3, VDSS 80 V, ID 9.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Código RS:: 180-7296
Nº ref. fabric.:: SI4896DY-T1-E3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SI4896DY-T1-E3, VDSS 80 V, ID 9.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:: 180-7296
Nº ref. fabric.:: SI4896DY-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	22mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.56W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	34nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	6.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.75mm
	Longitud	5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.56W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 6.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.75mm
	Longitud 5mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 16,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia de 1,56W mW y una corriente de drenaje continua de 6,7A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 6V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptor adaptador

• Interruptores de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21