MOSFET Vishay SI4946BEY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6,5 A, SO-8 de 8 pines, 2elementos

El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua DE 6,5a A y una potencia nominal máxima de 3,7W W. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado