MOSFET Vishay SI4204DY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 19,8 A., SO-8 de 8 pines, 2elementos

El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. También tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 19,8A mA. El MOSFET tiene una potencia nominal máxima de 3,25W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Convertidor CC/CC
• Telecomunicaciones Fijas
• Ordenador portátil

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado