MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 180-7285
Nº ref. fabric.:: SI4204DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 180-7285
Nº ref. fabric.:: SI4204DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	19.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.006Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	30nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	3.25W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Altura	1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.65 mm
	Longitud	3.05mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 19.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SO-8
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.006Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 3.25W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Altura 1mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.65 mm
	Longitud 3.05mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. También tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 19,8A mA. El MOSFET tiene una potencia nominal máxima de 3,25W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Convertidor CC/CC

• Telecomunicaciones Fijas

• Ordenador portátil

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• UIS probado