MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
818-1390
Nº ref. fabric.:
SI7288DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

15.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

5.99mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5 mm

Altura

1.07mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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