MOSFET Vishay SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 919-4334
Nº ref. fabric.:: SI7288DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,549 €

(exc. IVA)

0,664 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,549 €	1.647,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4334
Nº ref. fabric.:: SI7288DP-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	22 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	15,6 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	5mm
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Longitud	5.99mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C