- Código RS:
- 180-8014
- Nº ref. fabric.:
- SI4204DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 19/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,52 €
(exc. IVA)
1,84 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
5 - 45 | 1,52 € | 7,60 € |
50 - 120 | 1,29 € | 6,45 € |
125 - 245 | 1,14 € | 5,70 € |
250 - 495 | 0,986 € | 4,93 € |
500 + | 0,912 € | 4,56 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8014
- Nº ref. fabric.:
- SI4204DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. También tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 19,8A mA. El MOSFET tiene una potencia nominal máxima de 3,25W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Convertidor CC/CC
• Telecomunicaciones Fijas
• Ordenador portátil
• Telecomunicaciones Fijas
• Ordenador portátil
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 19,8 A. |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
Tipo de Encapsulado | SO-8 |
Serie | TrenchFET |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,006 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.4V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
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