MOSFET, N-Canal Vishay SIRS4302DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 478 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

4.356,00 €

(exc. IVA)

5.271,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 3000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +1,452 €4.356,00 €

*precio indicativo

Código RS:
279-9962
Nº ref. fabric.:
SIRS4302DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

478A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SIRS

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00057Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

230nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET serie SIRS de Vishay, disipación de potencia máxima de 208 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V - SIRS4302DP-T1-GE3


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para entornos de conmutación de potencia exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado compacto de montaje en superficie SO-8 adecuado para su integración en conjuntos de alimentación densamente poblados. Conforme a RoHS, el componente está diseñado para aplicaciones de grado industrial en las que se requiere resistencia térmica y un manejo de corriente continua considerable.

Características y ventajas:


• Resistencia de conexión muy baja de 0,00057 Ω para pérdidas de conducción mínimas
• Alta corriente de drenaje continua de 478 A que permite la conmutación de cargas pesadas
• Tensión nominal de fuente de drenaje de 30 V para etapas de potencia de baja tensión
• Capacidad de disipación de potencia de 208 W para soportar un funcionamiento de alta potencia
• Carga de puerta de 230 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• Tolerancia de fuente de puerta de 20 V para adaptarse a tensiones de accionamiento robustas

Aplicaciones


• Adecuado para convertidores dc-dc de alta corriente en racks de servidor
• Ideal para disposiciones MOSFET paralelas en módulos de potencia
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se puede utilizar para etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente de pico
• Adecuado para reguladores de conmutación industriales que funcionan en un amplio rango de temperaturas

¿Cómo funciona a temperaturas ambiente extremas?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, soportando aplicaciones expuestas a condiciones térmicas severas.

¿Qué método de montaje se recomienda para la gestión térmica?


La colocación de montaje en superficie en un PCB con un área de cobre adecuada o vias térmicas es necesaria para disipar hasta 208 W de manera segura.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación rápida?


Espera una carga de puerta típica de 230 nC

los controladores deben suministrar una corriente de pico adecuada para lograr los tiempos de subida y bajada deseados sin una disipación excesiva.

¿Es adecuado el dispositivo para programas de certificación de automoción?


El componente no está clasificado como de grado automovilístico

la idoneidad para los programas de vehículos debe evaluarse frente a requisitos de cualificación específicos.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.