MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS4302DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 478 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9962
Nº ref. fabric.:
SIRS4302DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

478A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

SIRS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00057Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

230nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

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