MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRS4302DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 478 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9963
- Nº ref. fabric.:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 3,335 € | 6,67 € |
| 50 - 98 | 3,07 € | 6,14 € |
| 100 - 248 | 2,72 € | 5,44 € |
| 250 - 998 | 2,675 € | 5,35 € |
| 1000 + | 2,62 € | 5,24 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9963
- Nº ref. fabric.:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 478A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00057Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 478A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00057Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x factor de mérito Qg
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
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